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Jul 04, 2023

Progetto ETMOS per lo sviluppo di diodi e transistor ultraveloci...

Il carburo di silicio (SiC) e i nitruri del gruppo III (GaN, AlN, InN e relative leghe) svolgono un ruolo cruciale nella conversione di potenza ad alta efficienza energetica, nell'elettronica ad alta frequenza e nell'optoelettronica. Combinando il

Il carburo di silicio (SiC) e i nitruri del gruppo III (GaN, AlN, InN e relative leghe) svolgono un ruolo cruciale nella conversione di potenza ad alta efficienza energetica, nell'elettronica ad alta frequenza e nell'optoelettronica. Combinando la tecnologia matura di questi semiconduttori ad ampio gap di banda con le eccezionali proprietà dei materiali 2D, come il grafene e i dicalcogenuri dei metalli di transizione (in particolare il bisolfuro di molibdeno (MoS2)), i ricercatori possono sviluppare diodi e transistor ultraveloci.

Da aprile 2020 a marzo 2023, ricercatori del CNR-IMM (Italia), CNRS-CRHEA (Francia), IEE-SAS (Slovacchia), MFA-EK (Ungheria) e dell'Università di Palermo (Italia) hanno collaborato al progetto FLAG- Progetto ERA ETMOS per costruire dispositivi concettuali basati su MoS2, SiC e nitruro di gallio (GaN).

Il clou del progetto ETMOS è stato lo sviluppo di diodi a eterogiunzione MoS2/SiC e MoS2/GaN con eccellenti proprietà di raddrizzamento. L'iniezione di corrente regolabile è stata ottenuta adattando il drogaggio delle superfici MoS2 o SiC (GaN).

Il progetto ETMOS ha diffuso attivamente i suoi risultati scientifici attraverso vari mezzi, tra cui la pubblicazione su riviste ad accesso aperto sottoposte a revisione paritaria, la partecipazione a conferenze internazionali e l'organizzazione di un simposio al Fall Meeting 2022 della European Materials Research Society (EMRS).

“L’integrazione di materiali 2D fornisce nuove funzionalità a SiC e GaN, ampliando la gamma di potenziali applicazioni di questi semiconduttori ad ampio gap di banda. Mi aspetto che questa tecnologia apra nuove opportunità di mercato”, afferma Filippo Giannazzo, direttore della ricerca del CNR-IMM.

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